1. Qu es la carbur de silici?
Lo carbur de silici (SiC) es un compausat compausat de carbòni e de silici, generalament jos la forma de cristals negres o verds. Es un material fòrça dur amb un punt de fusion elevat, una excelenta conductivitat termica e resisténcia quimica, doncas es largament utilizat dins l'esplecha, lo talh, los dispositius electronics e l'equipament de nauta temperatura.
2. Quinas son las principalas aplicacions del carbur de silici?
Materiaus abrasius : utilizats per far de ròdas de molin, de papièr de lija, d'abrasius, etc. .
Materiaus de semiconductor: utilizats entà hèr periferics electronics de nauta temperatura, de nauta frequéncia e de nauta poténcia coma es diòdes, es MOSFETs, etc. .
Materiaus refractarias: utilizats en entorns de nauta temperatura coma los forns de nauta temperatura e los escambiaires de calor. .
Semas mecanics: utilizats per de components de selladura dins d'equipaments mecanics coma las pompas e los compressors. .
Materiales de cerámica: utilizadas para hacer diversos productos ceramicos resistentes a los desgastes y resistentes a la corrosion{.
3. Quins tipes de carbur de silici i a?
Carbur de silici negre: a un contengut de carbòni mai elevat e una nauta duresa, e es principalament utilizada per de materials de mòla. .
Carbur de silici Verd: a una puretat mai nauta e una duretat mai nauta, e es principalament utilizada per talhar de materials durs. .
Carbur de silici ligada a la reaccion (RBSiC): Fabricada pel procès de sinterizacion de reaccion, a d'excellentas proprietats mecanicas e resisténcia a la corrosion. .
Carbur de silici sintariat a pressat caud (HPSiC): Fabricat pel procès de sinterizacion de pression cauda, a una densitat mai nauta e una resisténcia mecanica. .
4. Quins son los metòdes de preparacion del carbur de silici?
Metòde tradicional: Fabricat per caufar una mescla de sabla de quars e de coca de petròli a una temperatura nauta dins un forn de resisténcia.
Metodo de deposicion de vapor (CVD): Depositar pelicula de carbur de silicio en un substrato por la tecnologia de deposicion de vapor quimica. .
Mètode de sinistre: Incluint lo sinterisme de reaccion, lo sinterisme premsat caud, etc., en prement la polvera de carbur de silici en forma e en sintièr a nauta temperatura{1}} .
5. Qu son las ventajas de la carbur de silici en el campo de la semiconductora?
Resisténcia electrica de camp electrica de descomposicion: permet a las aplicacions de tension mai elevada.
Conduccion nauta termica : Disipacion de calor eficaça, adaptada als dispositius de nauta poténcia.
Movilitat d'electrons elevadas : Melhora la velocitat de commutacion del periferic.
Gasta de banda larga: Pòt encara manténer un excellent rendiment electronic a de temperaturas nautas.
